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EANS-News: PVA TePla AG / Hohe Zelleffizienz und niedrige Betriebskosten - Voraussetzungen für langfristigen Erfolg in der Photovoltaikindustrie

Veröffentlicht am 13.03.2012, 14:09
EANS-News: PVA TePla AG / Hohe Zelleffizienz und niedrige Betriebskosten - Voraussetzungen für langfristigen Erfolg in der Photovoltaikindustrie

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Corporate News übermittelt durch euro adhoc. Für den Inhalt ist der

Emittent/Meldungsgeber verantwortlich.

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Wettenberg (euro adhoc) - (Wettenberg, 13. März 2012) - Vor dem Hintergrund der

aktuell schwierigen Lage der Photovoltaikindustrie, die durch Überkapazitäten

und damit verbunden starkem Preis- und Margendruck gekennzeichnet ist, wird der

Erhöhung der Zelleffizienzen ein besonders hohes Potential zur Optimierung der

'Cost of Ownership' (CoO) zuerkannt. In diesem Kontext hat die PVA TePla AG,

Wet-tenberg - Deutschland, ein führender Hersteller von Anlagen zur Herstellung

von monokristallinen Siliziumkristallen nach der Czochralski-und Floatzone

Methode, seine Anlagentechnologie zur Züch-tung von Kristallen in Zusammenarbeit

mit Kunden, Kooperations-partnern und Forschungszentren aus der

Photovoltaikindustrie konsequent weiterentwickelt.

Neben erheblichen Verbesserungen der etablierten Czochralski-Technologie in

Hinblick auf verkürzte Prozesszeiten und geringere Prozesskosten, erreich-bar

durch Erhöhung der Kristallisationsgeschwindigkeit bzw. einer effizienteren

Nutzung von Ausgangs und Verbrauchsmaterialien, fokussieren neuere Entwicklungen

auf das Floatzone-Verfahren zur Herstellung von hochreinem, monokristallinem

Silizium für Solaranwendungen.

Die Floatzone-Technologie wurde ursprünglich für die Halbleiterherstellung

entwickelt und hat in den letzten Jahren zunehmend an Bedeutung gewonnen. Mit

der Floatzone-Technologie werden die besonders hohen Reinheitsanforderungen an

monokristallines Silizium erreicht, die beispielsweise benötigt werden, um

elektronische Bauelemente für Hochleistungsanwendungen zu produzieren.

Mit einer für die Photovoltaikindustrie optimierten Kristallzuchtanlage, die

monokristalline Siliziumkristalle nach dem Floatzoneverfahren ziehen kann,

stehen nun industriell verfügbare Standardanlagen für die Produktion bereit, mit

denen zukünftigen Anforderungen photovoltaischer Stromerzeugung ent-sprochen

werden kann. Nur mit sehr gutem Wafermaterial lassen sich im Zuge des immer

komplexer werdenden Fertigungsprozesses in der Solarindustrie die höchsten

Effizienzen realisieren. Hierfür sind eine über den gesamten Siliziumkristall

hinweg gleichbleibend hohe Qualität sowie gleichzeitig eine hohe Reinheit des

Kristalls erforderlich. Mit dem Floatzoneverfahren kann eine Anlagentechnologie

für die Kristallzüchtung in der Photovoltaikindustrie angeboten werden, die

hervorragende Zelleffizienzen und niedrige Betriebs-kosten bietet.

Das Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP in Halle sowie das

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) und Industriepartner arbeiten im

Rahmen des vom BMBF (Bundesministerium für Bildung und Forschung) geförderten

Exzellenzclusters weiter intensiv mit Kristallzuchtanlagen der PVA TePla und

bestätigen u.a. die sehr gute Effizienz der Floatzone - basierten Zellen.

Rückfragehinweis:

Dr. Gert Fisahn

Telefon: +49(0)641 68690-400

E-Mail: gert.fisahn@pvatepla.com

Unternehmen: PVA TePla AG

Im Westpark 10-12

D-35435 Wettenberg

Telefon: +49(0)641 68690-0

FAX: +49(0)641 68690-800

Email: ir@pvatepla.com

WWW: http://www.pvatepla.com

Branche: Misc. Industrials

ISIN: DE0007461006

Indizes: CDAX

Börsen: Freiverkehr: Hannover, Berlin, München, Hamburg, Düsseldorf,

Stuttgart, Regulierter Markt/Prime Standard: Frankfurt

Sprache: Deutsch

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