Infineon (DE:IFXGn) stellt Produktneuheit vor: Wie der Halbleiterspezialist am Montag mitteilte, bringe man eine neue „1200 V IGBT-Generation“ auf den Markt, den sogenannten „TRENCHSTOP™ IGBT6“. Laut Infineon-Angaben erfülle das neue Produkt die wachsenden effizienztechnischen Anforderungen an Leistungsschalter.
„TRENCHSTOP™ IGBT6“ verfüge als erster diskreter IGBT („insulated-gate bipolar transistor“) auf dem Markt über ein Dioden-Bauteil, das auf einem 300-mm-Wafer hergestellt werde. Jene neue Produktfamilie sei eigens für den Einsatz in „hart schaltenden und resonanten Topologien mit Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz“ optimiert worden, erklärte der Dax-Konzern. Der IGBT6 eigne sich somit insbesondere für Batterieladegeräte, Energiespeicher oder Solarwechselrichter.
Effizienzverbesserung von 0,2 Prozent gegenüber Vorgängermodell
Die Produktneuheit sei zudem in zwei verschiedenen Varianten erhältlich – zum einen als Serie S6 für niedrige Sättigungsspannung und zum anderen als Serie H6 für geringe Schaltverluste. Laut Infineon-Angaben können Kunden mit dem direkten Austausch des Vorgängerprodukts Highspeed3 durch den neuen IGBT6 eine Effizienzverbesserung von 0,2 Prozent erreichen, so der Konzern, der zur Ermittlung jenes Werts diverse Anwendungstests durchgeführt habe.
Überdies ermögliche der positive Temperaturkoeffizient des Bauteiles eine „einfache und zuverlässige Parallelisierung“. Infineon zufolge seien die neuen IGBT-Produktreihen im Hochvolumen verfügbar.
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Ein Beitrag von Marco Schnepf.