Wolfspeed, Inc. beschäftigt sich mit der Entwicklung von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid (GaN)-Technologien für Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Anwendungen. Zu den Produktfamilien des Unternehmens gehören Siliziumkarbid- und GaN-Materialien, Leistungsbauelemente und HF-Bauelemente für verschiedene Anwendungen wie Elektrofahrzeuge, Schnellladung, 5G, erneuerbare Energien und Speicherung sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung. Die Siliziumkarbid-Materialien umfassen blanke Siliziumkarbid-Wafer, epitaktische Wafer und GaN-Epitaxieschichten auf Siliziumkarbid-Wafern. Seine Produkte für Leistungsbauelemente bestehen aus Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) und Leistungsmodulen. Seine HF-Bauelemente bestehen aus GaN-basierten Chips, HEMTs (High-Electron-Mobility-Transistoren), monolithischen integrierten Mikrowellenschaltungen (MMICs) und LDMOS-Leistungstransistoren (Laterally Diffused MOSFET), die für Telekommunikationsinfrastruktur, militärische und andere kommerzielle Anwendungen optimiert sind.